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磁隧道结器件和其制造方法、存储器件和电子系统

被引：0
申请号：
CN202210209054.3
申请日：
2022-03-04
公开(公告)号：
CN115036415A
公开(公告)日：
2022-09-09
发明(设计)人：
金洸奭 朴盛健 长谷直基 李昇宰
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L4308
IPC分类号：
H01L4310 H01L4312
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
弋桂芬
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-09 公开 公开
共 50 条
[1]
磁隧道结器件和包括该磁隧道结器件的存储器件 [P]. 
金洸奭 ;
朴盛健 ;
金基雄 ;
长谷直基 .
中国专利 :CN115701270A ,2023-02-07
[2]
非易失性存储器件、其制造方法和包括其的电子系统 [P]. 
文英东 ;
朴性薰 ;
韩赫 ;
金圣真 .
韩国专利 :CN117896986A ,2024-04-16
[3]
非易失性存储器件和包括其的电子系统 [P]. 
崔铜成 ;
金秉柱 ;
朴圆濬 ;
郑在珉 ;
千昌宪 .
韩国专利 :CN118265293A ,2024-06-28
[4]
半导体存储器件和包括其的电子系统 [P]. 
高秉贤 ;
金浩珍 ;
林根元 ;
李贞浩 ;
张铉建 .
韩国专利 :CN117881188A ,2024-04-12
[5]
半导体存储器件和包括其的电子系统 [P]. 
金胜渊 ;
金志荣 ;
姜仁昊 ;
梁宇成 ;
李在恩 .
韩国专利 :CN117677193A ,2024-03-08
[6]
半导体存储器件和包括其的电子系统 [P]. 
李敏镛 ;
李世勋 ;
金俊亨 ;
金志荣 ;
成锡江 .
韩国专利 :CN119521672A ,2025-02-25
[7]
半导体器件、半导体存储器件和电子系统 [P]. 
闵柱盛 ;
白在馥 ;
韩智勋 .
中国专利 :CN115707251A ,2023-02-17
[8]
非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的电子系统 [P]. 
俞炳益 ;
高承范 ;
权泰穆 ;
孙畅津 ;
吕次东 ;
李瑟智 ;
李昇珉 .
韩国专利 :CN118695597A ,2024-09-24
[9]
半导体存储器件、用于制造其的方法和包括其的电子系统 [P]. 
郑洙赞 ;
金泙祐 ;
李吉成 ;
赵源锡 .
韩国专利 :CN120500047A ,2025-08-15
[10]
非易失性存储器件、制造该非易失性存储器件的方法和包括该非易失性存储器件的电子系统 [P]. 
李呈焕 ;
赵显敏 .
韩国专利 :CN118338676A ,2024-07-12
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