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半导体存储器件和包括其的电子系统

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311259649.0
申请日：
2023-09-27
公开(公告)号：
CN117881188A
公开(公告)日：
2024-04-12
发明(设计)人：
高秉贤 金浩珍 林根元 李贞浩 张铉建
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10B41/27
IPC分类号：
H10B41/35 H10B41/41 H10B43/27 H10B43/35 H10B43/40
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
李娜;赵莎
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-04-12 公开 公开
2025-10-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/27申请日:20230927
共 50 条
[1]
半导体存储器件和包括其的电子系统 [P]. 
李敏镛 ;
李世勋 ;
金俊亨 ;
金志荣 ;
成锡江 .
韩国专利 :CN119521672A ,2025-02-25
[2]
半导体存储器件和包括其的电子系统 [P]. 
金胜渊 ;
金志荣 ;
姜仁昊 ;
梁宇成 ;
李在恩 .
韩国专利 :CN117677193A ,2024-03-08
[3]
半导体存储器件以及包括其的电子系统 [P]. 
金柱亨 .
韩国专利 :CN118284058A ,2024-07-02
[4]
半导体存储器件及包括其的电子系统 [P]. 
早川幸夫 ;
金容锡 ;
李奉镕 ;
赵始衍 .
韩国专利 :CN117881193A ,2024-04-12
[5]
半导体存储器件和包括该半导体存储器件的电子系统 [P]. 
明一镐 ;
劳寿星 ;
李承民 ;
韩相宇 .
韩国专利 :CN119451125A ,2025-02-14
[6]
半导体存储器件和包括该半导体存储器件的电子系统 [P]. 
金俊亨 ;
金智源 ;
李雅凛 ;
成锡江 .
韩国专利 :CN118076112A ,2024-05-24
[7]
半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统 [P]. 
崔贤默 .
韩国专利 :CN119383971A ,2025-01-28
[8]
半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统 [P]. 
朱贤必 ;
权俊瑛 ;
金俊亨 ;
金志荣 ;
成锡江 ;
李秉哲 .
韩国专利 :CN121038279A ,2025-11-28
[9]
三维半导体存储器件和包括其的电子系统 [P]. 
金东焕 ;
姜信焕 ;
卢英智 ;
朴正桓 ;
千相勋 .
中国专利 :CN114725114A ,2022-07-08
[10]
三维半导体存储器件和包括其的电子系统 [P]. 
金森宏治 ;
韩智勋 ;
洪兑允 .
韩国专利 :CN120659312A ,2025-09-16
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