半导体存储器件和包括该半导体存储器件的电子系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311496893.9

申请日：

2023-11-10

公开(公告)号：

CN118076112A

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

金俊亨金智源李雅凛成锡江

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B43/27

IPC分类号：

H10B43/35 H10B43/40 H10B43/50 H10B43/10

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜;谢晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/27申请日:20231110

共 50 条

[1]

半导体存储器件和包括该半导体存储器件的电子系统 [P].

明一镐 ;

劳寿星 ;

李承民 ;

韩相宇 .

韩国专利 :CN119451125A ,2025-02-14

[2]

半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统 [P].

朱贤必 ;

权俊瑛 ;

金俊亨 ;

金志荣 ;

成锡江 ;

李秉哲 .

韩国专利 :CN121038279A ,2025-11-28

[3]

半导体存储器件、制造该半导体存储器件的方法和包括该半导体存储器件的电子系统 [P].

崔喆敃 ;

卞昶勋 ;

沈善一 .

韩国专利 :CN117881192A ,2024-04-12

[4]

半导体存储器件、用于制造该半导体存储器件的方法和包括该半导体存储器件的电子系统 [P].

金鹤善 ;

尹康五 ;

李东镇 ;

李载德 .

韩国专利 :CN119653773A ,2025-03-18

[5]

半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统 [P].

崔贤默 .

韩国专利 :CN119383971A ,2025-01-28

[6]

半导体器件、半导体存储器件和电子系统 [P].

闵柱盛 ;

白在馥 ;

韩智勋 .

中国专利 :CN115707251A ,2023-02-17

[7]

半导体存储器件和包括其的电子系统 [P].

李敏镛 ;

李世勋 ;

金俊亨 ;

金志荣 ;

成锡江 .

韩国专利 :CN119521672A ,2025-02-25

[8]

半导体存储器件和包括其的电子系统 [P].

高秉贤 ;

金浩珍 ;

林根元 ;

李贞浩 ;

张铉建 .

韩国专利 :CN117881188A ,2024-04-12

[9]

半导体存储器件及包括其的电子系统 [P].

早川幸夫 ;

金容锡 ;

李奉镕 ;

赵始衍 .

韩国专利 :CN117881193A ,2024-04-12

[10]

三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统 [P].

全炫旭 ;

金烔永 ;

闵丙宪 .

韩国专利 :CN119136555A ,2024-12-13

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