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高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件及制备方法
被引：0
申请号：
CN202210323538.0
申请日：
2022-03-30
公开(公告)号：
CN114695556A
公开(公告)日：
2022-07-01
发明(设计)人：
杨飞
吴凯
张广银
徐真逸
任雨
申请人：
申请人地址：
210000 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座（江宁开发区）
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
H01L21336
H01L29739
H01L21331
代理机构：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228
代理人：
过顾佳
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-20 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20220908 变更事项:申请人 变更前权利人:南京芯长征科技有限公司 变更后权利人:江苏芯长征微电子集团股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:210000 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座（江宁开发区） 变更后权利人:210000 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室（江宁开发区） 变更事项:申请人 变更后权利人:南京芯长征科技有限公司 |
| 2022-07-01 | 公开 | 公开 |
| 2022-07-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220330 |