半导体器件的高电压发生器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610156459.6

申请日：

2006-12-31

公开(公告)号：

CN101154440A

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

姜溁洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

G11C114074

IPC分类号：

G11C114076

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/4074 申请日:20061231 授权公告日:20100421 终止日期:20161231
2010-04-21	授权	授权
2008-04-02	公开	公开
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电压发生器、电压波形发生器和半导体器件制造装置 [P].

金慧镇 ;

金铉培 ;

金柱铉 ;

金知焕 ;

朴璨义 ;

崔荣奂 .

中国专利 :CN110783161A ,2020-02-11

[2]

电压发生器、电压波形发生器和半导体器件制造装置 [P].

金慧镇 ;

金铉培 ;

金柱铉 ;

金知焕 ;

朴璨义 ;

崔荣奂 .

韩国专利 :CN110783161B ,2024-10-11

[3]

高电压半导体器件 [P].

费利克斯·西蒙·温特雷尔 ;

克里斯蒂安·希佩尔 ;

迪尔克·普列费特 ;

安德烈·西德尔尼科夫 .

:CN119181715A ,2024-12-24

[4]

双极电源电压发生器及其半导体器件 [P].

土屋主税 ;

韮塚公利 ;

西森英二 ;

大津勝吉 .

中国专利 :CN1430326A ,2003-07-16

[5]

一种电压发生器和半导体器件 [P].

黄传辉 ;

陈瑞隆 ;

黄天辉 ;

陈建平 .

中国专利 :CN112039335A ,2020-12-04

[6]

高击穿电压半导体器件 [P].

曹大为 ;

北村睦美 ;

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN103493207B ,2014-01-01

[7]

内部电压发生电路和包括其的半导体器件 [P].

金在勋 .

中国专利 :CN104460821A ,2015-03-25

[8]

基准电压半导体器件 [P].

浜口正直 .

中国专利 :CN1129969C ,1996-11-27

[9]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

E.格里布尔 ;

A.莫泽尔 ;

M.普法芬莱纳 ;

F.沃尔特 .

中国专利 :CN107978639A ,2018-05-01

[10]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

V.尤内维奥纳克 ;

P.C.布兰特 ;

F.希莱 ;

A.卢施泰克-佩赫洛夫 ;

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN109638075A ,2019-04-16

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