功率半导体器件的高电压终止结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711007642.4

申请日：

2017-10-25

公开(公告)号：

CN107978639A

公开(公告)日：

2018-05-01

发明(设计)人：

E.格里布尔 A.莫泽尔 M.普法芬莱纳 F.沃尔特

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L21331 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;杜荔南

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171025
2021-07-13	授权	授权
2018-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

V.尤内维奥纳克 ;

P.C.布兰特 ;

F.希莱 ;

A.卢施泰克-佩赫洛夫 ;

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN109638075A ,2019-04-16

[2]

功率半导体器件终止结构 [P].

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

E.法尔克 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN107978640A ,2018-05-01

[3]

SiC上的高电压功率半导体器件 [P].

M·罗伯达 ;

G·钟 .

中国专利 :CN104246979A ,2014-12-24

[4]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

M·佩尔马尔 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19

[5]

高速高功率半导体器件 [P].

Y·杜 ;

V·阿帕林 ;

R·吉尔摩 .

中国专利 :CN103380497A ,2013-10-30

[6]

半导体器件终止结构和制造半导体器件终止结构的方法 [P].

B·帕德玛纳伯翰 ;

P·文卡特拉曼 .

美国专利 :CN118891733A ,2024-11-01

[7]

高电压半导体器件 [P].

费利克斯·西蒙·温特雷尔 ;

克里斯蒂安·希佩尔 ;

迪尔克·普列费特 ;

安德烈·西德尔尼科夫 .

:CN119181715A ,2024-12-24

[8]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

T·昆齐格 .

中国专利 :CN115602704A ,2023-01-13

[9]

功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 .

中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05

[10]

功率半导体器件的散热结构及功率半导体器件 [P].

曹俊 .

中国专利 :CN217933772U ,2022-11-29

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