高速高功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280009506.8

申请日：

2012-02-17

公开(公告)号：

CN103380497A

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

Y·杜 V·阿帕林 R·吉尔摩

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2940

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

蔡悦

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20120217 授权公告日:20170412 终止日期:20220217
2017-04-12	授权	授权
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545322146 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012800095068 申请日:20120217
2013-10-30	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

申洪植 .

韩国专利 :CN222721868U ,2025-04-04

[2]

功率半导体器件 [P].

古川彰彦 ;

香川泰宏 ;

三浦成久 ;

日野史郎 ;

中田修平 ;

大塚健一 ;

渡边昭裕 ;

今泉昌之 .

中国专利 :CN102947934A ,2013-02-27

[3]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

E.格里布尔 ;

A.莫泽尔 ;

M.普法芬莱纳 ;

F.沃尔特 .

中国专利 :CN107978639A ,2018-05-01

[4]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

V.尤内维奥纳克 ;

P.C.布兰特 ;

F.希莱 ;

A.卢施泰克-佩赫洛夫 ;

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN109638075A ,2019-04-16

[5]

SiC上的高电压功率半导体器件 [P].

M·罗伯达 ;

G·钟 .

中国专利 :CN104246979A ,2014-12-24

[6]

功率半导体器件 [P].

窦泽春 ;

肖红秀 ;

李继鲁 ;

方杰 ;

常桂钦 ;

刘国友 ;

彭勇殿 .

中国专利 :CN104134648A ,2014-11-05

[7]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203192800U ,2013-09-11

[8]

功率半导体器件 [P].

贺东晓 .

中国专利 :CN111554740A ,2020-08-18

[9]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

中国专利 :CN110504304A ,2019-11-26

[10]

功率半导体器件 [P].

R.巴布尔斯克 ;

M.耶利内克 ;

F-J.尼德诺斯泰德 ;

F.D.普菲尔施 ;

C.P.桑多 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN111326575B ,2025-05-13

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