半导体器件终止结构和制造半导体器件终止结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380028170.8

申请日：

2023-08-25

公开(公告)号：

CN118891733A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

B·帕德玛纳伯翰 P·文卡特拉曼

申请人：

半导体元件工业有限责任公司

申请人地址：

美国

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/40 H01L29/41 H01L29/78 H01L21/336

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

张小稳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2025-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20230825

共 50 条

[1]

功率半导体器件终止结构 [P].

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

E.法尔克 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN107978640A ,2018-05-01

[2]

边缘终止的半导体器件 [P].

G·H·罗切尔特 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN206490066U ,2017-09-12

[3]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

中国专利 :CN111834444A ,2020-10-27

[4]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

E.格里布尔 ;

A.莫泽尔 ;

M.普法芬莱纳 ;

F.沃尔特 .

中国专利 :CN107978639A ,2018-05-01

[5]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

V.尤内维奥纳克 ;

P.C.布兰特 ;

F.希莱 ;

A.卢施泰克-佩赫洛夫 ;

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN109638075A ,2019-04-16

[6]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

德国专利 :CN111834444B ,2024-10-18

[7]

一种半导体器件的终止结构 [P].

管灵鹏 ;

安荷·叭剌 ;

朱廷刚 ;

马督儿·博德 .

中国专利 :CN103151379B ,2013-06-12

[8]

半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法 [P].

薛珉洙 ;

卞卿溵 ;

金昌炫 ;

李殷奎 .

韩国专利 :CN119835999A ,2025-04-15

[9]

半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件 [P].

庄凌艺 ;

吕开敏 .

中国专利 :CN117677206A ,2024-03-08

[10]

半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件 [P].

庄凌艺 ;

吕开敏 .

中国专利 :CN117677207A ,2024-03-08

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