具有边缘终止结构的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010304294.2

申请日：

2020-04-17

公开(公告)号：

CN111834444A

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

G.施密特 E.法尔克

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L2978 H01L29861

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘书航;申屠伟进

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	公开	公开
2022-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200417

共 50 条

[1]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

德国专利 :CN111834444B ,2024-10-18

[2]

具有边缘终止结构的碳化硅半导体器件 [P].

L.韦尔汉-基利安 ;

R.埃尔佩尔特 ;

R.鲁普 ;

R.西米尼克 ;

B.齐佩留斯 .

中国专利 :CN109841665A ,2019-06-04

[3]

具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法 [P].

R·J·格罗维 .

中国专利 :CN100485960C ,2006-07-05

[4]

具有边缘结构的半导体器件 [P].

R·范达伦 ;

C·罗切福特 .

中国专利 :CN100367510C ,2005-08-31

[5]

具有边缘终端结构的半导体器件 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN103227193B ,2013-07-31

[6]

边缘终止的半导体器件 [P].

G·H·罗切尔特 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN206490066U ,2017-09-12

[7]

功率半导体器件终止结构 [P].

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

E.法尔克 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN107978640A ,2018-05-01

[8]

具有沟槽边缘终端结构的半导体器件 [P].

齐亚·侯赛因 .

中国专利 :CN101241933A ,2008-08-13

[9]

具有优化的边缘终止的半导体元器件 [P].

R·巴塞尔梅斯 ;

H-J·舒尔策 ;

U·克尔纳-韦德豪森 ;

J·卢茨 ;

T·巴斯勒 .

中国专利 :CN104321879A ,2015-01-28

[10]

具有边缘端部结构的沟槽半导体器件及其制造方法 [P].

王培林 ;

陈菁菁 ;

E·D·德弗莱萨特 .

中国专利 :CN103426738B ,2013-12-04

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