具有边缘结构的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03814932.X

申请日：

2003-06-13

公开(公告)号：

CN100367510C

公开(公告)日：

2005-08-31

发明(设计)人：

R·范达伦 C·罗切福特

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L2941

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

王新华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-31	公开	公开
2007-09-26	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后权利人:NXP股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬登记生效日:20070824
2014-08-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584295406 IPC(主分类):H01L 29/41 专利号:ZL03814932X 申请日:20030613 授权公告日:20080206 终止日期:20130613
2005-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

具有边缘终端结构的半导体器件 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN103227193B ,2013-07-31

[2]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

中国专利 :CN111834444A ,2020-10-27

[3]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

德国专利 :CN111834444B ,2024-10-18

[4]

具有边缘终止结构的碳化硅半导体器件 [P].

L.韦尔汉-基利安 ;

R.埃尔佩尔特 ;

R.鲁普 ;

R.西米尼克 ;

B.齐佩留斯 .

中国专利 :CN109841665A ,2019-06-04

[5]

具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法 [P].

R·J·格罗维 .

中国专利 :CN100485960C ,2006-07-05

[6]

具有沟槽边缘终端结构的半导体器件 [P].

齐亚·侯赛因 .

中国专利 :CN101241933A ,2008-08-13

[7]

具有边缘端部结构的沟槽半导体器件及其制造方法 [P].

王培林 ;

陈菁菁 ;

E·D·德弗莱萨特 .

中国专利 :CN103426738B ,2013-12-04

[8]

功率半导体器件边缘结构 [P].

E·法尔克 ;

H-J·舒尔策 ;

A·施韦格曼 .

中国专利 :CN106328712A ,2017-01-11

[9]

具有屏蔽结构的半导体器件 [P].

E·法尔克 ;

K·布赫霍尔茨 ;

M·戴内塞 ;

H-J·舒尔策 ;

G·施密特 ;

F·翁巴赫 .

中国专利 :CN105374856B ,2016-03-02

[10]

半导体器件边缘终端结构及方法 [P].

加里·H·莱厄切尔特 ;

彼得·J·兹德贝尔 ;

戈登·M·格里芙娜 .

中国专利 :CN1822390A ,2006-08-23

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