功率半导体器件边缘结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610516124.4

申请日：

2016-07-01

公开(公告)号：

CN106328712A

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

E·法尔克 H-J·舒尔策 A·施韦格曼

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L21336 H01L21331 H01L2906

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

曾立

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-11	公开	公开
2019-10-18	授权	授权
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702037004 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016105161244 申请日:20160701

共 50 条

[1]

功率半导体器件终止结构 [P].

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

E.法尔克 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN107978640A ,2018-05-01

[2]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

中国专利 :CN110504304A ,2019-11-26

[3]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN113972271A ,2022-01-25

[4]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN108630665B ,2018-10-09

[5]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

德国专利 :CN110504304B ,2025-11-07

[6]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

:CN113972271B ,2024-03-01

[7]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

T·昆齐格 .

中国专利 :CN115602704A ,2023-01-13

[8]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

M·佩尔马尔 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19

[9]

半导体结构及功率半导体器件 [P].

常东旭 ;

邓建军 ;

李雨衡 ;

陶政 ;

李龙涛 ;

王超 ;

胡磊 .

中国专利 :CN119008700A ,2024-11-22

[10]

功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 .

中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05

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