功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111221438.9

申请日：

2018-03-20

公开(公告)号：

CN113972271B

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

T.巴斯勒 M.比纳 M.戴内泽 H-J.舒尔策

申请人：

英飞凌科技奥地利有限公司

申请人地址：

奥地利菲拉赫西门子大街2号

IPC主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/06 H01L23/62

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈晓;周学斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN113972271A ,2022-01-25

[2]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN108630665B ,2018-10-09

[3]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

中国专利 :CN110504304A ,2019-11-26

[4]

功率半导体器件 [P].

张昌洙 ;

严基宙 ;

宋寅赫 ;

朴在勋 ;

徐东秀 .

中国专利 :CN104465733A ,2015-03-25

[5]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

德国专利 :CN110504304B ,2025-11-07

[6]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

F·D·普菲尔施 ;

T·昆齐格 .

中国专利 :CN115602704A ,2023-01-13

[7]

功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法 [P].

M·佩尔马尔 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN121174536A ,2025-12-19

[8]

功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P].

M·普法芬莱纳 ;

A·比斯瓦斯 ;

M·科托罗格亚 ;

H-J·舒尔茨 ;

P·森格 .

德国专利 :CN119730355A ,2025-03-28

[9]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

H-J·泰斯 ;

A·莫德 .

德国专利 :CN119767703A ,2025-04-04

[10]

功率半导体器件以及生产功率半导体器件的方法 [P].

H-J·特斯 .

德国专利 :CN120692902A ,2025-09-23

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