功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910414123.2

申请日：

2019-05-17

公开(公告)号：

CN110504304B

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

B.施托伊布 H-J.舒尔策 M.C.赛费尔特

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H10D12/00

IPC分类号：

H10D8/60 H10D62/10 H10D62/13 H10D84/00 H10D84/82

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

周学斌;申屠伟进

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

中国专利 :CN110504304A ,2019-11-26

[2]

功率半导体器件 [P].

M.费尔 ;

P.C.布兰特 ;

E.莱歇尔 ;

H.梅克尔 ;

K.施拉姆尔 .

中国专利 :CN110660795A ,2020-01-07

[3]

功率半导体器件 [P].

R·巴布尔斯克 ;

M·豪夫 ;

H-J·舒尔策 ;

H·舒尔策 ;

B·施托伊布 .

中国专利 :CN113013240A ,2021-06-22

[4]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN113972271A ,2022-01-25

[5]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN108630665B ,2018-10-09

[6]

功率半导体器件 [P].

O.洪贝尔 ;

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

D.卡尔 ;

P.S.科赫 ;

A.科普罗夫斯基 ;

S.克伦普 ;

T.库尔茨曼 ;

E.莱歇尔 ;

H.吕廷 .

德国专利 :CN111326566B ,2024-09-17

[7]

功率半导体器件 [P].

R·巴布尔斯克 ;

M·豪夫 ;

H-J·舒尔茨 ;

H·舒尔茨 ;

B·斯托伊布 .

中国专利 :CN115377184A ,2022-11-22

[8]

功率半导体器件 [P].

T.巴斯勒 ;

M.比纳 ;

M.戴内泽 ;

H-J.舒尔策 .

:CN113972271B ,2024-03-01

[9]

功率半导体器件 [P].

O.洪贝尔 ;

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

D.卡尔 ;

P.S.科赫 ;

A.科普罗夫斯基 ;

S.克伦普 ;

T.库尔茨曼 ;

E.莱歇尔 ;

H.吕廷 .

中国专利 :CN111326566A ,2020-06-23

[10]

功率半导体器件 [P].

M.费尔 ;

P.C.布兰特 ;

E.莱歇尔 ;

H.梅克尔 ;

K.施拉姆尔 .

德国专利 :CN110660795B ,2024-09-10

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