功率半导体器件

被引：0

申请号：

CN202210544614.0

申请日：

2022-05-19

公开(公告)号：

CN115377184A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

R·巴布尔斯克 M·豪夫 H-J·舒尔茨 H·舒尔茨 B·斯托伊布

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L29861 H01L2978

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘书航;周学斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

中国专利 :CN110504304A ,2019-11-26

[2]

功率半导体器件 [P].

M.费尔 ;

P.C.布兰特 ;

E.莱歇尔 ;

H.梅克尔 ;

K.施拉姆尔 .

中国专利 :CN110660795A ,2020-01-07

[3]

功率半导体器件 [P].

R·巴布尔斯克 ;

M·豪夫 ;

H-J·舒尔策 ;

H·舒尔策 ;

B·施托伊布 .

中国专利 :CN113013240A ,2021-06-22

[4]

功率半导体器件 [P].

B.施托伊布 ;

H-J.舒尔策 ;

M.C.赛费尔特 .

德国专利 :CN110504304B ,2025-11-07

[5]

功率半导体器件 [P].

O.洪贝尔 ;

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

D.卡尔 ;

P.S.科赫 ;

A.科普罗夫斯基 ;

S.克伦普 ;

T.库尔茨曼 ;

E.莱歇尔 ;

H.吕廷 .

德国专利 :CN111326566B ,2024-09-17

[6]

功率半导体器件 [P].

O.洪贝尔 ;

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

D.卡尔 ;

P.S.科赫 ;

A.科普罗夫斯基 ;

S.克伦普 ;

T.库尔茨曼 ;

E.莱歇尔 ;

H.吕廷 .

中国专利 :CN111326566A ,2020-06-23

[7]

功率半导体器件 [P].

M.费尔 ;

P.C.布兰特 ;

E.莱歇尔 ;

H.梅克尔 ;

K.施拉姆尔 .

德国专利 :CN110660795B ,2024-09-10

[8]

功率半导体器件、功率半导体模块和加工方法 [P].

罗曼·罗特 ;

弗兰克·希勒 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 .

中国专利 :CN110265374B ,2019-09-20

[9]

功率半导体器件 [P].

窦泽春 ;

肖红秀 ;

李继鲁 ;

方杰 ;

常桂钦 ;

刘国友 ;

彭勇殿 .

中国专利 :CN104134648A ,2014-11-05

[10]

功率半导体器件 [P].

顾悦吉 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

刘慧勇 .

中国专利 :CN203192800U ,2013-09-11

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