边缘终止的半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720199033.2

申请日：

2017-03-03

公开(公告)号：

CN206490066U

公开(公告)日：

2017-09-12

发明(设计)人：

G·H·罗切尔特 G·M·格里弗纳

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-12	授权	授权

共 50 条

[1]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

中国专利 :CN111834444A ,2020-10-27

[2]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

德国专利 :CN111834444B ,2024-10-18

[3]

半导体器件终止结构和制造半导体器件终止结构的方法 [P].

B·帕德玛纳伯翰 ;

P·文卡特拉曼 .

美国专利 :CN118891733A ,2024-11-01

[4]

用于半导体器件的边缘终止和对应的制造方法 [P].

M.安托尼奧 ;

F.尤德里 ;

I.尼斯托 ;

M.拉希莫 ;

C.科瓦斯塞 .

中国专利 :CN105814690A ,2016-07-27

[5]

功率半导体器件终止结构 [P].

J-G.鲍尔 ;

J.布兰登布格 ;

E.法尔克 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN107978640A ,2018-05-01

[6]

具有边缘终止结构的碳化硅半导体器件 [P].

L.韦尔汉-基利安 ;

R.埃尔佩尔特 ;

R.鲁普 ;

R.西米尼克 ;

B.齐佩留斯 .

中国专利 :CN109841665A ,2019-06-04

[7]

具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法 [P].

R·J·格罗维 .

中国专利 :CN100485960C ,2006-07-05

[8]

用于制造具有斜切边缘终止的半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN104733301B ,2015-06-24

[9]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189593U ,2018-12-04

[10]

半导体器件 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

张伟 ;

李一枝 .

中国专利 :CN206742247U ,2017-12-12

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