用于制造具有斜切边缘终止的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410791956.8

申请日：

2014-12-19

公开(公告)号：

CN104733301B

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

F.希尔勒 A.毛德 H-J.舒尔策

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L21306 H01L2102 H01L213065

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

蒋骏;刘春元

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	公开	公开
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617847383 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:2014107919568 申请日:20141219
2018-10-26	授权	授权

共 50 条

[1]

边缘终止的半导体器件 [P].

G·H·罗切尔特 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN206490066U ,2017-09-12

[2]

用于半导体器件的边缘终止和对应的制造方法 [P].

M.安托尼奧 ;

F.尤德里 ;

I.尼斯托 ;

M.拉希莫 ;

C.科瓦斯塞 .

中国专利 :CN105814690A ,2016-07-27

[3]

具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法 [P].

R·J·格罗维 .

中国专利 :CN100485960C ,2006-07-05

[4]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

中国专利 :CN111834444A ,2020-10-27

[5]

具有边缘终止结构的半导体器件 [P].

G.施密特 ;

E.法尔克 .

德国专利 :CN111834444B ,2024-10-18

[6]

半导体器件终止结构和制造半导体器件终止结构的方法 [P].

B·帕德玛纳伯翰 ;

P·文卡特拉曼 .

美国专利 :CN118891733A ,2024-11-01

[7]

具有阶梯状边缘终端的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方法 [P].

G.施密特 .

中国专利 :CN103872099A ,2014-06-18

[8]

具有凹进边缘的半导体器件及其制造方法 [P].

陈宪伟 .

中国专利 :CN105789147A ,2016-07-20

[9]

具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法 [P].

E·扎内蒂 ;

S·拉斯库纳 ;

M·G·萨吉奥 ;

A·瓜尔内拉 ;

L·弗拉加帕内 ;

C·特林加里 .

中国专利 :CN110010467B ,2019-07-12

[10]

具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法 [P].

E·扎内蒂 ;

S·拉斯库纳 ;

M·G·萨吉奥 ;

A·瓜尔内拉 ;

L·弗拉加帕内 ;

C·特林加里 .

中国专利 :CN115332071A ,2022-11-11

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