具有阶梯状边缘终端的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310678033.7

申请日：

2013-12-13

公开(公告)号：

CN103872099A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

G.施密特

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2936 H01L2104

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

蒋骏;马永利

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-18	公开	公开
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583751874 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2013106780337 申请日:20131213
2017-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

玉城朋宏 ;

中泽芳人 ;

江口聪司 .

中国专利 :CN102074581B ,2011-05-25

[2]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

裴贞勋 ;

延政浩 ;

朴南均 .

韩国专利 :CN120825957A ,2025-10-21

[3]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

周大德 ;

张雄杰 ;

李晛 ;

付海 ;

田永琦 .

中国专利 :CN101501841B ,2009-08-05

[4]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24

[5]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

C·艾希勒 ;

U·施特劳斯 .

中国专利 :CN101983461A ,2011-03-02

[6]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

李宜静 ;

游明华 .

中国专利 :CN110429136A ,2019-11-08

[7]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

砂村润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103904109A ,2014-07-02

[8]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

尹宗珉 ;

权大殷 ;

金秀吉 ;

徐秀万 ;

河泰政 .

韩国专利 :CN118057935A ,2024-05-21

[9]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

M·恩格尔哈特 ;

M·扎加 .

中国专利 :CN104071743A ,2014-10-01

[10]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

根本道生 ;

吉村尚 .

中国专利 :CN105552115A ,2016-05-04

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