半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010551468.1

申请日：

2010-11-19

公开(公告)号：

CN102074581B

公开(公告)日：

2011-05-25

发明(设计)人：

玉城朋宏中泽芳人江口聪司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L2128

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

屠长存

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-08	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2012-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101351718288 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010105514681 申请日:20101119
2011-05-25	公开	公开
2015-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

竹胁利至 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03

[2]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

裴贞勋 ;

延政浩 ;

朴南均 .

韩国专利 :CN120825957A ,2025-10-21

[3]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

周大德 ;

张雄杰 ;

李晛 ;

付海 ;

田永琦 .

中国专利 :CN101501841B ,2009-08-05

[4]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24

[5]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

C·艾希勒 ;

U·施特劳斯 .

中国专利 :CN101983461A ,2011-03-02

[6]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

李宜静 ;

游明华 .

中国专利 :CN110429136A ,2019-11-08

[7]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

砂村润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103904109A ,2014-07-02

[8]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

尹宗珉 ;

权大殷 ;

金秀吉 ;

徐秀万 ;

河泰政 .

韩国专利 :CN118057935A ,2024-05-21

[9]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

M·恩格尔哈特 ;

M·扎加 .

中国专利 :CN104071743A ,2014-10-01

[10]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

根本道生 ;

吉村尚 .

中国专利 :CN105552115A ,2016-05-04

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