半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310967240.8

申请日：

2023-08-02

公开(公告)号：

CN118057935A

公开(公告)日：

2024-05-21

发明(设计)人：

尹宗珉权大殷金秀吉徐秀万河泰政

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B61/00

IPC分类号：

H10B63/00 H10B63/10 H10B53/30

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

王建国;许伟群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 61/00申请日:20230802
2024-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法 [P].

河泰政 .

韩国专利 :CN118057936A ,2024-05-21

[2]

半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法 [P].

宋政桓 .

韩国专利 :CN118057923A ,2024-05-21

[3]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

裴贞勋 ;

延政浩 ;

朴南均 .

韩国专利 :CN120825957A ,2025-10-21

[4]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

周大德 ;

张雄杰 ;

李晛 ;

付海 ;

田永琦 .

中国专利 :CN101501841B ,2009-08-05

[5]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24

[6]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

C·艾希勒 ;

U·施特劳斯 .

中国专利 :CN101983461A ,2011-03-02

[7]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

李宜静 ;

游明华 .

中国专利 :CN110429136A ,2019-11-08

[8]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

砂村润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103904109A ,2014-07-02

[9]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

M·恩格尔哈特 ;

M·扎加 .

中国专利 :CN104071743A ,2014-10-01

[10]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

根本道生 ;

吉村尚 .

中国专利 :CN105552115A ,2016-05-04

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