半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510906782.X

申请日：

2010-11-02

公开(公告)号：

CN105552115A

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

根本道生吉村尚

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2932

IPC分类号：

H01L2936 H01L2966 H01L29739 H01L29861 H01L29868 H01L29885 H01L21263

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

俞丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	公开	公开
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662923526 IPC(主分类):H01L 29/32 专利申请号:201510906782X 申请日:20101102
2019-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

根本道生 ;

吉村尚 .

中国专利 :CN104716174A ,2015-06-17

[2]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

根本道生 ;

吉村尚 .

中国专利 :CN102687277B ,2012-09-19

[3]

半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN102683270A ,2012-09-19

[4]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

裴贞勋 ;

延政浩 ;

朴南均 .

韩国专利 :CN120825957A ,2025-10-21

[5]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

周大德 ;

张雄杰 ;

李晛 ;

付海 ;

田永琦 .

中国专利 :CN101501841B ,2009-08-05

[6]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24

[7]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

C·艾希勒 ;

U·施特劳斯 .

中国专利 :CN101983461A ,2011-03-02

[8]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

李宜静 ;

游明华 .

中国专利 :CN110429136A ,2019-11-08

[9]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

砂村润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103904109A ,2014-07-02

[10]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

尹宗珉 ;

权大殷 ;

金秀吉 ;

徐秀万 ;

河泰政 .

韩国专利 :CN118057935A ,2024-05-21

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