用于半导体器件的边缘终止和对应的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201480068737.5
申请日
2014-12-03
公开(公告)号
CN105814690A
公开(公告)日
2016-07-27
发明(设计)人
M.安托尼奧 F.尤德里 I.尼斯托 M.拉希莫 C.科瓦斯塞
申请人
申请人地址
瑞士苏黎世
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2978 H01L29739 H01L21336 H01L21331 H01L2940
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
张金金;王传道
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
边缘终止的半导体器件 [P]. 
G·H·罗切尔特 ;
G·M·格里弗纳 .
中国专利 :CN206490066U ,2017-09-12
[2]
半导体器件终止结构和制造半导体器件终止结构的方法 [P]. 
B·帕德玛纳伯翰 ;
P·文卡特拉曼 .
美国专利 :CN118891733A ,2024-11-01
[3]
制造半导体器件的方法和对应半导体器件 [P]. 
D·哈利茨基 ;
M·德赖 .
:CN117476471A ,2024-01-30
[4]
制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 [P]. 
P·马格尼 ;
A·阿里戈尼 ;
G·米萨格利亚 .
:CN119275112A ,2025-01-07
[5]
制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 [P]. 
G·卡塔拉诺 ;
A·梅里纳古塔多 ;
A·阿里戈尼 .
:CN119852185A ,2025-04-18
[6]
制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 [P]. 
M·德赖 ;
D·维特洛 .
中国专利 :CN114649221A ,2022-06-21
[7]
制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 [P]. 
F·G·齐格利奥利 .
中国专利 :CN110176404A ,2019-08-27
[8]
制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 [P]. 
A·贝利齐 ;
G·卡塔拉诺 .
中国专利 :CN118737840A ,2024-10-01
[9]
制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 [P]. 
G·卡塔拉诺 ;
A·贝利齐 ;
C·扎弗罗尼 .
中国专利 :CN118737951A ,2024-10-01
[10]
制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 [P]. 
R·蒂齐亚尼 ;
A·贝利齐 .
中国专利 :CN115440597A ,2022-12-06