具有凹进边缘的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410808120.4

申请日：

2014-12-22

公开(公告)号：

CN105789147A

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

陈宪伟

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L23485 H01L2160

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-05	授权	授权
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674710305 IPC(主分类):H01L 23/31 专利申请号:2014108081204 申请日:20141222
2016-07-20	公开	公开

共 50 条

[1]

具有非对称球型凹进栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

金经都 .

中国专利 :CN100594615C ,2008-04-02

[2]

有机半导体器件及其制造方法 [P].

N·凯霍维尔塔 ;

T·穆斯通宁 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

J-L·布尔迪 .

中国专利 :CN104039879A ,2014-09-10

[3]

具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法 [P].

R·J·格罗维 .

中国专利 :CN100485960C ,2006-07-05

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

矶野俊介 .

中国专利 :CN101257001B ,2008-09-03

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪奇成 ;

王喻生 ;

陈科维 ;

王英郎 .

中国专利 :CN105990436A ,2016-10-05

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

矶野俊介 .

中国专利 :CN100431145C ,2005-03-30

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

石谷哲二 ;

久保田大介 ;

西毅 .

中国专利 :CN101794040A ,2010-08-04

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘乃玮 ;

洪瑞斌 ;

林俊成 .

中国专利 :CN104576584A ,2015-04-29

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈威宇 ;

陈宪伟 ;

苏安治 ;

谢正贤 .

中国专利 :CN106549000A ,2017-03-29

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

町田晓夫 ;

达拉姆·帕尔·高塞恩 ;

野口隆 ;

堆井节夫 .

中国专利 :CN1298207A ,2001-06-06

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