具有非对称球型凹进栅极的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710005892.4

申请日：

2007-02-28

公开(公告)号：

CN100594615C

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

金经都

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L2704 H01L21336 H01L2128 H01L21822

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-17	授权	授权
2008-04-02	公开	公开
2015-04-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101605904920 IPC(主分类):H01L 29/423 专利号:ZL2007100058924 申请日:20070228 授权公告日:20100317 终止日期:20140228
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有凹进沟道与非对称结的半导体器件的制造方法 [P].

徐文植 .

中国专利 :CN100463146C ,2006-09-20

[2]

具有非对称栅极结构的半导体器件 [P].

廖航 ;

赵起越 ;

李长安 ;

王超 ;

周春华 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111682065A ,2020-09-18

[3]

具有凹进边缘的半导体器件及其制造方法 [P].

陈宪伟 .

中国专利 :CN105789147A ,2016-07-20

[4]

具有凹陷栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

郑永均 .

中国专利 :CN101097957B ,2008-01-02

[5]

具有沟槽型栅极的半导体器件及其制造方法 [P].

帅露 ;

王珏 ;

余龙 .

中国专利 :CN110911281B ,2020-03-24

[6]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[7]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[8]

非对称半导体器件 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

余宗兴 ;

徐烨 ;

刘佳雯 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104465763A ,2015-03-25

[9]

非对称半导体器件 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

余宗兴 ;

徐烨 ;

刘佳雯 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN115663027A ,2023-01-31

[10]

环绕栅极型半导体器件及其制造方法 [P].

张太洙 .

中国专利 :CN101635309A ,2010-01-27

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