单片半导体器件和半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820405821.7

申请日：

2017-07-18

公开(公告)号：

CN208189593U

公开(公告)日：

2018-12-04

发明(设计)人：

J·W·霍尔 G·M·格里弗纳

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

张小稳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-04	授权	授权

共 50 条

[1]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189592U ,2018-12-04

[2]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04

[3]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN207367973U ,2018-05-15

[4]

半导体器件 [P].

林育圣 ;

野间崇 ;

石部真三 .

中国专利 :CN206639796U ,2017-11-14

[5]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

[6]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

J·罗伊格-吉塔特 ;

P·莫恩斯 ;

P·范米尔贝克 .

中国专利 :CN203690305U ,2014-07-02

[7]

IGBT半导体器件以及半导体器件 [P].

M·库鲁西 ;

J·瓦韦罗 .

中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01

[8]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

木村雅俊 .

中国专利 :CN105390445A ,2016-03-09

[9]

半导体器件 [P].

M·J·塞登 ;

F·J·卡尔尼 .

中国专利 :CN206293436U ,2017-06-30

[10]

半导体器件 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

张伟 ;

李一枝 .

中国专利 :CN206742247U ,2017-12-12

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