晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410437401.3

申请日：

2014-08-29

公开(公告)号：

CN105448916A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

邱慈云施雪捷辜良智吕瑞霖魏琰刘欣蔡建祥

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657706827 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2014104374013 申请日:20140829
2016-03-30	公开	公开
2018-10-16	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体管及其形成方法 [P].

宋化龙 ;

施雪捷 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN106548943A ,2017-03-29

[2]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104064463B ,2014-09-24

[3]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104064464A ,2014-09-24

[4]

晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104425591B ,2015-03-18

[5]

晶体管及其形成方法 [P].

何有丰 ;

何永根 .

中国专利 :CN103915341B ,2014-07-09

[6]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103715090A ,2014-04-09

[7]

晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104465376A ,2015-03-25

[8]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

徐依协 .

中国专利 :CN103839813A ,2014-06-04

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

宋慧芳 ;

程勇 ;

曹国豪 ;

王海强 .

中国专利 :CN104810291A ,2015-07-29

[10]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

黄炜 ;

徐静静 ;

刘星 ;

周俊 .

中国专利 :CN108987278B ,2018-12-11

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