晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210378719.X

申请日：

2012-09-29

公开(公告)号：

CN103715090A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-01	授权	授权
2014-04-09	公开	公开
2014-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582056721 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201210378719X 申请日:20120929

共 50 条

[1]

晶体管及其形成方法 [P].

邱慈云 ;

施雪捷 ;

辜良智 ;

吕瑞霖 ;

魏琰 ;

刘欣 ;

蔡建祥 .

中国专利 :CN105448916A ,2016-03-30

[2]

晶体管及其形成方法 [P].

宋化龙 ;

施雪捷 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN106548943A ,2017-03-29

[3]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104064463B ,2014-09-24

[4]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104064464A ,2014-09-24

[5]

晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104425591B ,2015-03-18

[6]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960791A ,2017-07-18

[7]

晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104465376A ,2015-03-25

[8]

LDMOS晶体管及其形成方法 [P].

马千成 ;

程勇 ;

冯喆韻 .

中国专利 :CN104701373A ,2015-06-10

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101459082B ,2009-06-17

[10]

CMOS晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103915386B ,2014-07-09

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