CMOS晶体管及其形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310006455.X
申请日
2013-01-08
公开(公告)号
CN103915386B
公开(公告)日
2014-07-09
发明(设计)人
三重野文健
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
H01L27092
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
CMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
谢欣云 .
中国专利 :CN104810368A ,2015-07-29
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[7]
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[8]
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[9]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
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[10]
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张城龙 ;
张海洋 .
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