NMOS晶体管及其形成方法、CMOS晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310156945.8

申请日：

2013-04-28

公开(公告)号：

CN104124169B

公开(公告)日：

2014-10-29

发明(设计)人：

谢欣云

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21283 H01L2978 H01L2949 H01L27092 H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-29	公开	公开
2014-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101589571394 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013101569458 申请日:20130428
2018-06-01	授权	授权

共 50 条

[1]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105551957A ,2016-05-04

[2]

CMOS晶体管及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104810368A ,2015-07-29

[3]

CMOS晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103915386B ,2014-07-09

[4]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

张海洋 ;

郑喆 .

中国专利 :CN105428237A ,2016-03-23

[5]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102931232A ,2013-02-13

[6]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

魏琰 .

中国专利 :CN104078359A ,2014-10-01

[7]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

黄炜 ;

徐静静 ;

刘星 ;

周俊 .

中国专利 :CN108987278B ,2018-12-11

[8]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

何有丰 ;

胡亚兰 .

中国专利 :CN102376573B ,2012-03-14

[9]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960792A ,2017-07-18

[10]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102931233A ,2013-02-13

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