学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

CMOS晶体管的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310007186.9
申请日：
2013-01-08
公开(公告)号：
CN103915387A
公开(公告)日：
2014-07-09
发明(设计)人：
三重野文健
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L218238
IPC分类号：
H01L21336 H01L2128
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
骆苏华
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2016-06-29 授权 授权
2014-07-09 公开 公开
2014-08-06 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584239226 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2013100071869 申请日:20130108
共 50 条
[1]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN102800631B ,2012-11-28
[2]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
刘佳磊 .
中国专利 :CN105826256B ,2016-08-03
[3]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
禹国宾 .
中国专利 :CN104347512A ,2015-02-11
[4]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN104517901B ,2015-04-15
[5]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN104617046A ,2015-05-13
[6]
MOS晶体管的形成方法和CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
尚飞 .
中国专利 :CN105097524A ,2015-11-25
[7]
PMOS晶体管的形成方法及CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN104425265A ,2015-03-18
[8]
CMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN103915386B ,2014-07-09
[9]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
王冬江 .
中国专利 :CN103972173B ,2014-08-06
[10]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN103855096A ,2014-06-11
12345