CMOS晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510005139.X

申请日：

2015-01-06

公开(公告)号：

CN105826256B

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

刘佳磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-07	授权	授权
2016-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676757414 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:201510005139X 申请日:20150106
2016-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104681489A ,2015-06-03

[2]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103972173B ,2014-08-06

[3]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103915387A ,2014-07-09

[4]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104517901B ,2015-04-15

[5]

晶体管的形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105336589A ,2016-02-17

[6]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102800631B ,2012-11-28

[7]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN104347512A ,2015-02-11

[8]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103855096A ,2014-06-11

[9]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104681490A ,2015-06-03

[10]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

尚飞 .

中国专利 :CN105097687B ,2015-11-25

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