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晶体管的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410228507.2
申请日：
2014-05-27
公开(公告)号：
CN105336589A
公开(公告)日：
2016-02-17
发明(设计)人：
徐建华
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21285 H01L21336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
应战;骆苏华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-09-07 授权 授权
2016-03-16 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101650131300 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014102285072 申请日:20140527
2016-02-17 公开 公开
共 50 条
[1]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
刘佳磊 .
中国专利 :CN105826256B ,2016-08-03
[2]
PMOS晶体管的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN104681436A ,2015-06-03
[3]
CMOS晶体管的形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN104681489A ,2015-06-03
[4]
晶体管的形成方法 [P]. 
谢欣云 .
中国专利 :CN104217935A ,2014-12-17
[5]
晶体管的形成方法 [P]. 
神兆旭 .
中国专利 :CN107039273B ,2017-08-11
[6]
晶体管的形成方法 [P]. 
谢欣云 ;
洪中山 .
中国专利 :CN104253047B ,2014-12-31
[7]
晶体管的形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN106298528A ,2017-01-04
[8]
晶体管及其形成方法 [P]. 
徐建华 .
中国专利 :CN107039271A ,2017-08-11
[9]
晶体管的形成方法 [P]. 
何永根 ;
陈勇 .
中国专利 :CN104103502B ,2014-10-15
[10]
晶体管的形成方法 [P]. 
鲍宇 .
中国专利 :CN103839823A ,2014-06-04
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