CMOS晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110139436.5

申请日：

2011-05-26

公开(公告)号：

CN102800631B

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

三重野文健

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128 H01L21265

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383325154 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011101394365 申请日:20110526
2014-09-03	授权	授权
2012-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104617046A ,2015-05-13

[2]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN104347512A ,2015-02-11

[3]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103915387A ,2014-07-09

[4]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104517901B ,2015-04-15

[5]

PMOS晶体管的形成方法及CMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104425265A ,2015-03-18

[6]

晶体管的形成方法，CMOS的形成方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103311184A ,2013-09-18

[7]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105826256B ,2016-08-03

[8]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103972173B ,2014-08-06

[9]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103855096A ,2014-06-11

[10]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104681490A ,2015-06-03

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