CMOS晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310036549.1

申请日：

2013-01-30

公开(公告)号：

CN103972173B

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

张海洋王冬江

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586672076 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2013100365491 申请日:20130130
2014-08-06	公开	公开
2017-02-08	授权	授权

共 50 条

[1]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105826256B ,2016-08-03

[2]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104517901B ,2015-04-15

[3]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102800631B ,2012-11-28

[4]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN104347512A ,2015-02-11

[5]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103855096A ,2014-06-11

[6]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103915387A ,2014-07-09

[7]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104681490A ,2015-06-03

[8]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

尚飞 .

中国专利 :CN105097687B ,2015-11-25

[9]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN104253090B ,2014-12-31

[10]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

隋运奇 ;

刘格致 .

中国专利 :CN104425377A ,2015-03-18

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