MOS晶体管的形成方法和CMOS晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410184850.1

申请日：

2014-05-04

公开(公告)号：

CN105097524A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

张海洋尚飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴圳添;骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	公开	公开
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638506538 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014101848501 申请日:20140504
2018-11-16	授权	授权

共 50 条

[1]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

张海洋 ;

尚飞 .

中国专利 :CN105097687B ,2015-11-25

[2]

MOS晶体管的形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104347417A ,2015-02-11

[3]

MOS晶体管的形成方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN104347418A ,2015-02-11

[4]

MOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN103928331A ,2014-07-16

[5]

MOS晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106298484B ,2017-01-04

[6]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103915387A ,2014-07-09

[7]

晶体管的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106158630A ,2016-11-23

[8]

PMOS晶体管的形成方法及CMOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104425265A ,2015-03-18

[9]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102800631B ,2012-11-28

[10]

CMOS晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105826256B ,2016-08-03

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