薄膜集成电路用99.6％Al2O3 陶瓷基片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710305151.1

申请日：

2017-05-03

公开(公告)号：

CN106986665B

公开(公告)日：

2017-07-28

发明(设计)人：

居奎庞锦标班秀峰窦占明杨康杨俊韩玉成

申请人：

申请人地址：

550000 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段268号附1号

IPC主分类号：

C04B4185

IPC分类号：

C04B3510 C03C1200 C03C604 H01L2184

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

葛松生

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-28	公开	公开
2020-04-28	授权	授权
2017-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101743213734 IPC(主分类):C04B 41/85 专利申请号:2017103051511 申请日:20170503

共 50 条

[1]

99.6% Al2O3陶瓷基片减薄方法 [P].

居奎 ;

庞锦标 ;

班秀峰 ;

何创创 ;

刘婷 ;

韩玉成 .

中国专利 :CN107117946A ,2017-09-01

[2]

99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片的制备方法 [P].

陈凤宇 ;

朴元日 .

中国专利 :CN102464486A ,2012-05-23

[3]

一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺 [P].

成彪 ;

田茂标 ;

刘瑞生 ;

周开明 ;

徐勇 .

中国专利 :CN112079630A ,2020-12-15

[4]

薄膜集成电路的制造方法和元件基片 [P].

山崎舜平 ;

大力浩二 .

中国专利 :CN1914735A ,2007-02-14

[5]

一种用于Al2O3陶瓷基片的抹灰机 [P].

任文彬 ;

刘瑞生 ;

田茂标 ;

周富 ;

胡小容 ;

刘超莉 ;

成彪 ;

金梅 ;

胡杰 ;

刘晓庆 .

中国专利 :CN209918403U ,2020-01-10

[6]

制备高K Al2O3层的方法 [P].

邢中豪 ;

梁金娥 ;

李猛 ;

李宗旭 ;

赵正元 ;

张守龙 .

中国专利 :CN117947408A ,2024-04-30

[7]

用于混合式集成电路的陶瓷基片 [P].

小亨利·迈尔斯·奥布莱恩 ;

瓦伦·威廉·罗兹 .

中国专利 :CN1117478A ,1996-02-28

[8]

99.6%氧化铝陶瓷薄膜基片的烧成方法 [P].

陈凤宇 ;

朴元日 .

中国专利 :CN102464487A ,2012-05-23

[9]

一种集成电路陶瓷基片材料及其制备方法 [P].

费金华 .

中国专利 :CN104710165B ,2015-06-17

[10]

一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备方法 [P].

唐伟忠 ;

赵中琴 ;

吕反修 ;

李成明 ;

陈广超 ;

佟玉梅 .

中国专利 :CN1287418C ,2004-11-03

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