具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610033365.X

申请日：

2006-01-24

公开(公告)号：

CN1828955A

公开(公告)日：

2006-09-06

发明(设计)人：

吴质朴马学进

申请人：

申请人地址：

518000广东省深圳市宝安区西乡镇鹤洲鸿图工业园B栋3楼

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

深圳市康宏知识产权代理事务所

代理人：

胡朝阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-06	公开	公开
2008-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

一种氮化镓芯片的电极结构 [P].

尹宝堂 .

中国专利 :CN211605179U ,2020-09-29

[2]

氮化镓半导体结构 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 ;

陈朋 ;

马艳红 .

中国专利 :CN215496727U ,2022-01-11

[3]

一种氮化镓半导体芯片的外延结构 [P].

麻胜恒 ;

汪连山 ;

吴义针 ;

孙文红 ;

陈福鑫 .

中国专利 :CN119767735A ,2025-04-04

[4]

电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李政烨 ;

鲜于文旭 ;

文彰烈 ;

朴用永 ;

梁佑荣 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN103094334A ,2013-05-08

[5]

一种氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的电极 [P].

张建宝 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101000942A ,2007-07-18

[6]

半极性氮化镓半导体构件 [P].

陈辰 ;

宋杰 ;

崔周源 .

中国专利 :CN208970551U ,2019-06-11

[7]

半极性氮化镓半导体构件 [P].

陈辰 ;

宋杰 ;

崔周源 .

中国专利 :CN209029403U ,2019-06-25

[8]

具有垂直结构的氮化镓功率半导体器件 [P].

陈世冠 ;

林意茵 .

中国专利 :CN105474405B ,2016-04-06

[9]

氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 .

中国专利 :CN102945904A ,2013-02-27

[10]

氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构 [P].

杜高云 ;

张淋 ;

邓群雄 .

中国专利 :CN202871850U ,2013-04-10

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