具有垂直结构的氮化镓功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480045765.5

申请日：

2014-06-18

公开(公告)号：

CN105474405B

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

陈世冠林意茵

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	公开	公开
2018-12-14	授权	授权
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662093250 IPC(主分类):H01L 29/861 专利申请号:2014800457655 申请日:20140618

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件 [P].

张安邦 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

陈亮 .

中国专利 :CN213716906U ,2021-07-16

[2]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606A ,2021-01-22

[3]

氮化镓半导体器件 [P].

欧阳爵 ;

张礼杰 ;

张啸 ;

谢文元 .

中国专利 :CN214705857U ,2021-11-12

[4]

氮化镓半导体器件 [P].

李啓珍 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN215377414U ,2021-12-31

[5]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[6]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 .

中国专利 :CN211529944U ,2020-09-18

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

夏鑫 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

梁玉玉 ;

王哲力 .

中国专利 :CN222515484U ,2025-02-21

[8]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN213716905U ,2021-07-16

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606B ,2024-11-01

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN206532782U ,2017-09-29

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