光刻过程中的量测

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880058496.4

申请日：

2018-08-02

公开(公告)号：

CN111095112B

公开(公告)日：

2020-05-01

发明(设计)人：

S·G·J·马西森 M·J·J·杰克 K·巴塔查里亚

申请人：

申请人地址：

荷兰维德霍温

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

胡良均

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-01	公开	公开
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20180802
2022-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

光刻过程中晶圆对准的方法 [P].

黄涛 .

中国专利 :CN110865519B ,2020-03-06

[2]

在压印光刻过程中定位基板 [P].

R·帕特森 ;

C·S·卡登 ;

S·萨达姆 .

中国专利 :CN109952537A ,2019-06-28

[3]

光刻过程中晶片热形变的优化校正 [P].

J·J·奥特坦斯 ;

H·K·范德肖特 ;

J·P·斯塔雷维德 ;

W·J·P·M·马亚斯 ;

W·J·维内马 ;

B·门奇特奇科夫 .

中国专利 :CN1645255A ,2005-07-27

[4]

用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法 [P].

J·加西亚圣克拉拉 ;

J·M·芬德斯 ;

H·F·赫夫纳格尔斯 ;

G·里斯朋斯 .

:CN114641731B ,2025-09-05

[5]

用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法 [P].

J·加西亚圣克拉拉 ;

J·M·芬德斯 ;

H·F·赫夫纳格尔斯 ;

G·里斯朋斯 .

中国专利 :CN114641731A ,2022-06-17

[6]

用于光刻过程中的多参数感测的多通道锁相相机 [P].

H·P·M·派勒曼斯 ;

帕德马库马尔·拉马钱德拉拉奥 .

:CN120390909A ,2025-07-29

[7]

双层光刻过程 [P].

林智勇 ;

陈俊丞 .

中国专利 :CN1203523C ,2003-05-28

[8]

光刻过程的优化流程 [P].

段福·史蒂芬·苏 ;

拉斐尔·C·豪厄尔 ;

刘晓峰 .

中国专利 :CN106164777A ,2016-11-23

[9]

减少光刻过程中的透镜加热和/或冷却效应的方法 [P].

N·肯特 ;

M·C·沙夫斯马 .

中国专利 :CN113396365A ,2021-09-14

[10]

使用非对称亚分辨率特征改善测量的光刻过程的光学量测术 [P].

罗伯特·约翰·索卡 ;

T·L·瓦洛 .

中国专利 :CN108369387B ,2018-08-03

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