一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910022165.1

申请日：

2019-01-10

公开(公告)号：

CN109752676A

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

陈洁黄旭庭

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

柏尚春

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-14	公开	公开
2021-11-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R 33/09 申请公布日:20190514
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20190110

共 50 条

[1]

一种双电桥式薄膜磁阻传感器 [P].

陈洁 ;

黄旭庭 .

中国专利 :CN109752677A ,2019-05-14

[2]

一种惠斯通电桥式油液检测传感器 [P].

张洪朋 ;

白晨朝 ;

张舒垚 ;

阚向明 ;

李恒 ;

丁琳 ;

王晨勇 ;

张栩睿 ;

王升诏 .

中国专利 :CN117705886A ,2024-03-15

[3]

惠斯通电桥传感系统 [P].

J·J·伯廷 .

中国专利 :CN206248100U ,2017-06-13

[4]

一种设有惠斯通电桥的电阻式传感器 [P].

陈帅帅 .

中国专利 :CN206019676U ,2017-03-15

[5]

一种惠斯通电桥及多维力传感器 [P].

王宇航 ;

周丹 ;

李宁 ;

梁国昌 .

中国专利 :CN114061799B ,2022-02-18

[6]

AMR磁阻结构及惠斯通电桥 [P].

朱剑宇 ;

杨世霞 .

中国专利 :CN113933768B ,2024-01-30

[7]

磁阻式惠斯通电桥和具有至少两个这种电桥的角度传感器 [P].

约翰尼斯·保罗 ;

格尔泽·阿拉维 ;

殷宗義 .

中国专利 :CN107003364A ,2017-08-01

[8]

AMR磁阻结构及惠斯通电桥 [P].

朱剑宇 ;

杨世霞 .

中国专利 :CN113933768A ,2022-01-14

[9]

一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥 [P].

王建国 .

中国专利 :CN102721427B ,2012-10-10

[10]

磁传感器惠斯通电桥中的杂散场抑制 [P].

J·居廷格 ;

S·海恩兹 ;

A·萨茨 .

中国专利 :CN110657828B ,2020-01-07

← 1 2 3 4 5 →