AMR磁阻结构及惠斯通电桥

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111067618.6
申请日
2021-09-13
公开(公告)号
CN113933768B
公开(公告)日
2024-01-30
发明(设计)人
朱剑宇 杨世霞
申请人
深圳麦歌恩科技有限公司
申请人地址
518067 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1079号花园城数码大厦B座201-A131
IPC主分类号
G01R33/09
IPC分类号
代理机构
上海大邦律师事务所 31252
代理人
王松
法律状态
授权
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
AMR磁阻结构及惠斯通电桥 [P]. 
朱剑宇 ;
杨世霞 .
中国专利 :CN113933768A ,2022-01-14
[2]
惠斯通电桥装置 [P]. 
葛康康 .
中国专利 :CN203630655U ,2014-06-04
[3]
惠斯通电桥装置 [P]. 
葛康康 .
中国专利 :CN203630656U ,2014-06-04
[4]
惠斯通电桥传感系统 [P]. 
J·J·伯廷 .
中国专利 :CN206248100U ,2017-06-13
[5]
惠斯通电桥装置及其调试方法 [P]. 
葛康康 .
中国专利 :CN103616919A ,2014-03-05
[6]
惠斯通电桥单向阀设备 [P]. 
E·N·福勒 ;
P·阿鲁纳萨拉姆 .
中国专利 :CN104298258B ,2015-01-21
[7]
惠斯通电桥装置及其调试方法 [P]. 
葛康康 .
中国专利 :CN103631295B ,2014-03-12
[8]
位置传感器的不对称AMR惠斯通电桥布局 [P]. 
N·F·布施 .
中国专利 :CN101273247A ,2008-09-24
[9]
一种温度自补偿惠斯通电桥结构 [P]. 
何志俊 .
中国专利 :CN120947866A ,2025-11-14
[10]
一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器 [P]. 
陈洁 ;
黄旭庭 .
中国专利 :CN109752676A ,2019-05-14