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一种QLED器件的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111068699.1
申请日：
2021-09-13
公开(公告)号：
CN113659102A
公开(公告)日：
2021-11-16
发明(设计)人：
唐鹏宇 穆欣炬 马中生
申请人：
申请人地址：
322000 浙江省金华市北苑街道雪峰西路968号义乌科技创业园3号楼1楼
IPC主分类号：
H01L5156
IPC分类号：
H01L5150
代理机构：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250
代理人：
刘林涛
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-03 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/56 申请日:20210913
2021-11-16 公开 公开
共 50 条
[1]
一种QLED器件 [P]. 
钱磊 ;
杨一行 ;
曹蔚然 ;
向超宇 .
中国专利 :CN106328786B ,2017-01-11
[2]
一种QLED器件及制备方法 [P]. 
李龙基 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN108735905A ,2018-11-02
[3]
一种QLED器件及QLED器件的制备方法 [P]. 
龚浩天 ;
庄锦勇 .
中国专利 :CN115568239A ,2023-01-03
[4]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
汪鹏生 ;
龚克 .
中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06
[5]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 ;
李龙基 .
中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23
[6]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
刘佳 .
中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31
[7]
一种QLED器件及其制作方法 [P]. 
宋莹莹 .
中国专利 :CN108767126A ,2018-11-06
[8]
一种倒置QLED器件及其制备方法 [P]. 
陈梓 ;
卢瑶 ;
陈静 ;
蒋金龙 ;
李进 ;
陈小芳 ;
周素琴 .
中国专利 :CN110828684B ,2020-02-21
[9]
QLED器件功能层的制备方法 [P]. 
陈崧 ;
钱磊 ;
杨一行 ;
曹蔚然 ;
向超宇 .
中国专利 :CN108735900A ,2018-11-02
[10]
一种正型QLED器件及其制备方法 [P]. 
杜祖亮 ;
褚晓甜 ;
蒋晓红 ;
刘源义 .
中国专利 :CN113809256A ,2021-12-17
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