ITO溅射靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910117332.7

申请日：

2009-06-19

公开(公告)号：

CN101575203B

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

扈百直孙本双刘孝宁李凤光征卫星马文卫张红梅

申请人：

申请人地址：

753000 宁夏回族自治区石嘴山市大武口区冶金路119号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C04B3501 C04B35622 C23C1434 C23C1435

代理机构：

宁夏专利服务中心 64100

代理人：

叶学军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-11	公开	公开
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101620094362 IPC(主分类):C23C 14/08 专利号:ZL2009101173327 申请日:20090619 授权公告日:20130116 终止日期:20140619
2011-06-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101096691996 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2009101173327 变更事项:申请人变更前权利人:西北稀有金属材料研究院变更后权利人:西北稀有金属材料研究院变更事项:地址变更前权利人:753000 宁夏回族自治区石嘴山市大武口区冶金路119号变更后权利人:753000 宁夏回族自治区石嘴山市大武口区冶金路119号变更事项:共同申请人变更前权利人:无变更后权利人:国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心登记生效日:20110427
2013-01-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种ITO溅射靶材的制备方法 [P].

葛春桥 ;

金志洸 ;

柳春锡 ;

李强 ;

廖锋尧 .

中国专利 :CN115159975B ,2023-02-07

[2]

一种ITO溅射靶材的制备方法 [P].

侯闽渤 .

中国专利 :CN118460974B ,2025-09-05

[3]

一种ITO溅射靶材的制备方法 [P].

侯闽渤 .

中国专利 :CN118460974A ,2024-08-09

[4]

ITO溅射靶材 [P].

石田新太郎 .

中国专利 :CN107250426A ,2017-10-13

[5]

ITO 溅射靶材及其制造方法 [P].

寺村享祐 ;

武内朋哉 .

中国专利 :CN107253855A ,2017-10-17

[6]

ITO溅射靶材及其制造方法 [P].

寺村享祐 ;

武内朋哉 .

中国专利 :CN105308002A ,2016-02-03

[7]

ITO溅射靶 [P].

尾野直纪 .

中国专利 :CN1408895A ,2003-04-09

[8]

ITO薄膜溅射靶材的清洁方法 [P].

耿国凌 ;

由龙 ;

陈帅 ;

王洪浜 ;

邹威 .

中国专利 :CN105057235A ,2015-11-18

[9]

一种ITO溅射靶材的制备方法 [P].

王永超 ;

赵泽良 ;

贾时君 ;

尤青文 .

中国专利 :CN113788669A ,2021-12-14

[10]

高密度氧化铌溅射靶材的制备方法 [P].

扈百直 ;

孙本双 ;

刘孝宁 ;

征卫星 ;

马文卫 .

中国专利 :CN102659405A ,2012-09-12

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