高密度氧化铌溅射靶材的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210099055.3
申请日
2012-04-06
公开(公告)号
CN102659405A
公开(公告)日
2012-09-12
发明(设计)人
扈百直 孙本双 刘孝宁 征卫星 马文卫
申请人
申请人地址
753000 宁夏回族自治区石嘴山市大武口冶金路119号
IPC主分类号
C04B35495
IPC分类号
C04B35626 C04B35645
代理机构
宁夏专利服务中心 64100
代理人
叶学军
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
氧化铌溅射靶材的制备方法 [P]. 
施玉良 .
中国专利 :CN106567046A ,2017-04-19
[2]
一种低氧高密度Ru溅射靶材、制备方法及其用途 [P]. 
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闻明 ;
巢云秀 ;
沈月 ;
施晨琦 ;
许彦亭 ;
李思勰 ;
刘牛 ;
普志辉 .
中国专利 :CN116875952B ,2025-06-13
[3]
ITO溅射靶材的制备方法 [P]. 
扈百直 ;
孙本双 ;
刘孝宁 ;
李凤光 ;
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马文卫 ;
张红梅 .
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[4]
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孙本双 ;
赵合涛 ;
刘笑开 ;
刘苗 ;
王之君 ;
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中国专利 :CN119143498A ,2024-12-17
[5]
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[6]
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[7]
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[8]
一种高密度低成本氧化锌铝溅射靶材的制造方法 [P]. 
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[9]
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宜楠 ;
张锟宇 ;
孙毅 ;
王飞 ;
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[10]
一种高纯高密度特点的碳化硼溅射靶材的制备方法 [P]. 
姜思源 ;
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