氧化铌溅射靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610893329.4

申请日：

2016-10-13

公开(公告)号：

CN106567046A

公开(公告)日：

2017-04-19

发明(设计)人：

施玉良

申请人：

申请人地址：

224005 江苏省盐城市盐城高新区凤凰南路18号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

代理机构：

北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489

代理人：

谢磊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-19	公开	公开
2019-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 14/34 申请公布日:20170419
2017-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101719983145 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2016108933294 申请日:20161013

共 50 条

[1]

高密度氧化铌溅射靶材的制备方法 [P].

扈百直 ;

孙本双 ;

刘孝宁 ;

征卫星 ;

马文卫 .

中国专利 :CN102659405A ,2012-09-12

[2]

一种氧化铌旋转溅射靶材的制备工艺 [P].

石煜 ;

田晓磊 ;

盛明亮 ;

李小龙 .

中国专利 :CN113355626A ,2021-09-07

[3]

一种制备铌溅射靶材的方法 [P].

宜楠 ;

张锟宇 ;

孙毅 ;

王飞 ;

李俊 ;

于乐庆 ;

赵鸿磊 .

中国专利 :CN101660130A ,2010-03-03

[4]

氧化铌溅射靶、其制造方法及氧化铌膜 [P].

梅本启太 ;

张守斌 .

中国专利 :CN105074046A ,2015-11-18

[5]

一种氧化钽旋转溅射靶材及其制备方法 [P].

石煜 ;

曾墩风 ;

马建保 ;

盛明亮 .

中国专利 :CN117604468A ,2024-02-27

[6]

溅射靶材及溅射靶材的制造方法 [P].

黑田稔显 ;

柴田宪治 ;

渡边和俊 ;

岩谷幸作 .

日本专利 :CN119731367A ,2025-03-28

[7]

溅射靶材的制造方法及溅射靶材 [P].

萩原淳一郎 ;

东秀一 ;

神原正三 .

中国专利 :CN102753722B ,2014-09-03

[8]

溅射靶材及溅射靶材的主体 [P].

J·巴克菲勒 ;

R·埃勒 ;

J·瑞泽 ;

L·特伦 ;

G·奥福德 .

美国专利 :CN309057484S ,2025-01-07

[9]

一种钼铌合金溅射靶材的制备方法 [P].

党晓明 ;

安耿 ;

李晶 ;

席莎 ;

赵虎 ;

刘仁智 .

中国专利 :CN105441884B ,2016-03-30

[10]

溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶 [P].

松前和男 .

中国专利 :CN101631893A ,2010-01-20

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