一种制备铌溅射靶材的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910180107.8

申请日：

2009-09-29

公开(公告)号：

CN101660130A

公开(公告)日：

2010-03-03

发明(设计)人：

宜楠张锟宇孙毅王飞李俊于乐庆赵鸿磊

申请人：

申请人地址：

710065陕西省西安市高新区科技三路56号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1414 C22F118 C21D126

代理机构：

中国有色金属工业专利中心

代理人：

李迎春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001221732 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2009101801078 申请日:20090929
2021-01-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/34 登记生效日:20210107 变更事项:专利权人变更前权利人:西部金属材料股份有限公司变更后权利人:西安诺博尔稀贵金属材料股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:710065 陕西省西安市高新区科技三路56号变更后权利人:710065 陕西省西安市经济技术开发区泾渭新城泾高北路中段18号
2011-06-01	授权	授权
2010-03-03	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化铌溅射靶材的制备方法 [P].

施玉良 .

中国专利 :CN106567046A ,2017-04-19

[2]

一种钼铌合金溅射靶材的制备方法 [P].

党晓明 ;

安耿 ;

李晶 ;

席莎 ;

赵虎 ;

刘仁智 .

中国专利 :CN105441884B ,2016-03-30

[3]

一种铌合金溅射靶材及其制备方法 [P].

方宏 ;

张雪凤 ;

孙虎民 .

中国专利 :CN113584366B ,2021-11-02

[4]

一种氧化铌旋转溅射靶材的制备工艺 [P].

石煜 ;

田晓磊 ;

盛明亮 ;

李小龙 .

中国专利 :CN113355626A ,2021-09-07

[5]

一种钼铌合金溅射靶材的制备工艺 [P].

孙虎民 ;

赵文普 ;

陈亚光 ;

高建杰 .

中国专利 :CN105887027A ,2016-08-24

[6]

高密度氧化铌溅射靶材的制备方法 [P].

扈百直 ;

孙本双 ;

刘孝宁 ;

征卫星 ;

马文卫 .

中国专利 :CN102659405A ,2012-09-12

[7]

溅射靶材及溅射靶材的制造方法 [P].

黑田稔显 ;

柴田宪治 ;

渡边和俊 ;

岩谷幸作 .

日本专利 :CN119731367A ,2025-03-28

[8]

一种溅射靶材用钼铌合金板的制备方法 [P].

淡新国 ;

侯军涛 ;

李明强 ;

郭让民 ;

郭磊 ;

邓自南 .

中国专利 :CN102337418A ,2012-02-01

[9]

溅射靶材的制造方法及溅射靶材 [P].

萩原淳一郎 ;

东秀一 ;

神原正三 .

中国专利 :CN102753722B ,2014-09-03

[10]

溅射靶材及溅射靶材的主体 [P].

J·巴克菲勒 ;

R·埃勒 ;

J·瑞泽 ;

L·特伦 ;

G·奥福德 .

美国专利 :CN309057484S ,2025-01-07

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