一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220457939.7

申请日：

2012-09-10

公开(公告)号：

CN202772136U

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

丁磊侯宏伟

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港凯思半导体有限公司

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2940 H01L2978

代理机构：

张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209

代理人：

张玉平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-06	授权	授权
2015-04-22	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713779060 IPC(主分类):H01L 29/06 专利号:ZL2012204579397 申请日:20120910 授权公告日:20130306 放弃生效日:20150422

共 50 条

[1]

沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN203055918U ,2013-07-10

[2]

沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN103151381A ,2013-06-12

[3]

一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN102832234B ,2012-12-19

[4]

一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN203118956U ,2013-08-07

[5]

一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN103151380A ,2013-06-12

[6]

一种沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件 [P].

刘斯扬 ;

赵航波 ;

付浩 ;

魏家行 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN110416284A ,2019-11-05

[7]

沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件 [P].

杨利君 ;

宣雷 ;

李海军 .

中国专利 :CN119050127A ,2024-11-29

[8]

一种沟槽型MOS器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

殷允超 .

中国专利 :CN204189799U ,2015-03-04

[9]

一种半导体功率器件 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN209626219U ,2019-11-12

[10]

一种沟槽型MOS器件及其制造方法和终端保护结构 [P].

丁磊 ;

殷允超 .

中国专利 :CN104377245A ,2015-02-25

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