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一种沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910653705.6
申请日：
2019-07-18
公开(公告)号：
CN110416284A
公开(公告)日：
2019-11-05
发明(设计)人：
刘斯扬 赵航波 付浩 魏家行 孙伟锋 陆生礼 时龙兴
申请人：
申请人地址：
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
代理机构：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人：
柏尚春
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-11-05 公开 公开
2021-04-06 授权 授权
2019-11-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190718
共 50 条
[1]
沟槽型半导体功率器件终端保护结构及功率器件 [P]. 
杨利君 ;
宣雷 ;
李海军 .
中国专利 :CN119050127A ,2024-11-29
[2]
沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN203055918U ,2013-07-10
[3]
一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN202772136U ,2013-03-06
[4]
一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN203118956U ,2013-08-07
[5]
沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN103151381A ,2013-06-12
[6]
一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN103151380A ,2013-06-12
[7]
一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN102832234B ,2012-12-19
[8]
沟槽型半导体功率器件 [P]. 
杨晓鸾 ;
陈天 ;
武洪建 .
中国专利 :CN203118953U ,2013-08-07
[9]
沟槽型半导体功率器件 [P]. 
郭大川 ;
庄乔舜 .
美国专利 :CN120051006A ,2025-05-27
[10]
一种沟槽型半导体功率器件的终端保护结构 [P]. 
李金星 .
中国专利 :CN112340202A ,2021-02-09
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