一种纳米多孔硅电极材料的制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510731316.2

申请日：

2015-10-26

公开(公告)号：

CN105417543A

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

焦连升刘金玉孟玲菊王晓忠卢明亮陈中亚

申请人：

申请人地址：

067000 河北省承德市双桥区冯营子镇高教园区

IPC主分类号：

C01B33025

IPC分类号：

H01M438 H01M100525 B82Y3000

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-03	授权	授权
2016-03-23	公开	公开
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656299489 IPC(主分类):C01B 33/025 专利申请号:2015107313162 申请日:20151026

共 50 条

[1]

一种纳米多孔硅基复合物电极材料及其制备方法 [P].

冯金奎 ;

安永灵 .

中国专利 :CN108110240B ,2018-06-01

[2]

纳米多孔硅电极材料及其制备方法和在制备硅空气电池中的应用 [P].

于洁 ;

李东鑫 ;

马文会 ;

李绍元 ;

万小涵 ;

魏奎先 ;

吕国强 ;

谢克强 ;

陈正杰 ;

刘战伟 ;

颜恒维 ;

雷云 ;

伍继君 ;

吴丹丹 ;

席风硕 .

中国专利 :CN114975851B ,2024-04-12

[3]

一种纳米多孔硅材料的制备方法 [P].

贾鹏 ;

胡勋 ;

李娇娇 ;

张金洋 ;

侯红艳 .

中国专利 :CN107089664B ,2017-08-25

[4]

一种Mxene包覆多孔硅的复合电极材料及其制备方法 [P].

冯金奎 ;

安永灵 .

中国专利 :CN108183212B ,2018-06-19

[5]

一种锂电池负极材料纳米多孔硅的制备方法 [P].

冯金奎 ;

安永灵 .

中国专利 :CN107742715A ,2018-02-27

[6]

一种纳米多孔金属电极材料的制备方法 [P].

赵翼遥 ;

何佳 .

中国专利 :CN114525511A ,2022-05-24

[7]

一种纳米多孔硅的制备方法 [P].

王增梅 ;

李亚飞 ;

陆文敏 .

中国专利 :CN105399100A ,2016-03-16

[8]

一种纳米多孔硅-碳复合负极材料的制备装置 [P].

刘文博 ;

康弘 ;

刘相江 .

中国专利 :CN222173967U ,2024-12-17

[9]

纳米多孔硅碳材料的制备方法、极片 [P].

姚林林 ;

贺劲鑫 ;

王海林 ;

李亚飞 ;

缪永华 ;

薛驰 .

中国专利 :CN109950499B ,2019-06-28

[10]

一种纳米多孔硅及其制备方法 [P].

王国静 ;

禹久泓 .

中国专利 :CN119637881A ,2025-03-18

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