一种纳米多孔硅材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710242347.0

申请日：

2017-04-13

公开(公告)号：

CN107089664B

公开(公告)日：

2017-08-25

发明(设计)人：

贾鹏胡勋李娇娇张金洋侯红艳

申请人：

申请人地址：

250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

IPC主分类号：

C01B33021

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240

代理人：

李茜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-25	公开	公开
2017-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101748778294 IPC(主分类):C01B 33/021 专利申请号:2017102423470 申请日:20170413
2020-01-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种纳米多孔硅的制备方法 [P].

王增梅 ;

李亚飞 ;

陆文敏 .

中国专利 :CN105399100A ,2016-03-16

[2]

一种纳米多孔硅电极材料的制备工艺 [P].

焦连升 ;

刘金玉 ;

孟玲菊 ;

王晓忠 ;

卢明亮 ;

陈中亚 .

中国专利 :CN105417543A ,2016-03-23

[3]

纳米多孔硅碳材料的制备方法、极片 [P].

姚林林 ;

贺劲鑫 ;

王海林 ;

李亚飞 ;

缪永华 ;

薛驰 .

中国专利 :CN109950499B ,2019-06-28

[4]

一种纳米多孔硅及其制备方法 [P].

王国静 ;

禹久泓 .

中国专利 :CN119637881A ,2025-03-18

[5]

一种锂电池负极材料纳米多孔硅的制备方法 [P].

冯金奎 ;

安永灵 .

中国专利 :CN107742715A ,2018-02-27

[6]

一种利用掺杂硅颗粒制备纳米多孔硅的方法 [P].

洪捐 .

中国专利 :CN103985848B ,2014-08-13

[7]

一种新型有序纳米多孔硅的制备方法 [P].

胡明 ;

李明达 ;

马双云 ;

闫文君 ;

曾鹏 .

中国专利 :CN103276436A ,2013-09-04

[8]

一种多孔硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李绍元 ;

耿超 ;

马文会 ;

何祖东 ;

万小涵 ;

雷云 ;

颜恒维 ;

于洁 ;

魏奎先 ;

谢克强 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN108847383A ,2018-11-20

[9]

一种高纯度纳米多孔硅及硅-碳复合负极材料的制备方法 [P].

刘文博 ;

饶雪兰 ;

张冀周 ;

刘相江 .

中国专利 :CN115513447A ,2022-12-23

[10]

一种纳米多孔硅-碳复合负极材料的制备装置 [P].

刘文博 ;

康弘 ;

刘相江 .

中国专利 :CN222173967U ,2024-12-17

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