硅基探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110367441.5

申请日：

2021-04-06

公开(公告)号：

CN113299785B

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

许高博翟琼华丁明正傅剑宇孙朋殷华湘颜刚平田国良

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L310352 H01L3118

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

佟林松

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	公开	公开
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20210406
2022-08-16	授权	授权

共 50 条

[1]

硅基探测器及其制作方法 [P].

孙朋 ;

傅剑宇 ;

许高博 ;

丁明正 ;

殷华湘 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN114927589A ,2022-08-19

[2]

硅基光电探测器及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23

[3]

硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 [P].

郑婉华 ;

彭红玲 .

中国专利 :CN108573989B ,2018-09-25

[4]

硅基Ge光探测器阵列及其制作方法 [P].

仇超 ;

武爱民 ;

盛振 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

赵颖璇 ;

李军 .

中国专利 :CN106952983A ,2017-07-14

[5]

硅基铂硅纳米管探测器及其制作方法 [P].

李华高 ;

雷仁方 ;

廖乃镘 ;

袁安波 ;

邓涛 .

中国专利 :CN107394000A ,2017-11-24

[6]

1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法 [P].

黄烈云 ;

姜华男 ;

黄建 ;

罗春林 ;

伍明娟 ;

龙雨霞 .

中国专利 :CN106356290A ,2017-01-25

[7]

光电探测器及其制作方法 [P].

谢宗恒 ;

赵雅芝 ;

谢拾玉 .

中国专利 :CN119816006A ,2025-04-11

[8]

红外探测器及其制作方法 [P].

黄勇 .

中国专利 :CN119050181A ,2024-11-29

[9]

红外探测器及其制作方法 [P].

张立群 ;

黄勇 .

中国专利 :CN112531047A ,2021-03-19

[10]

红外探测器及其制作方法 [P].

张立群 ;

黄勇 .

中国专利 :CN112531047B ,2025-10-17

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